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KRI 考夫曼離子源

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美国考夫曼離子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 離子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海幸运飞艇网站是美国考夫曼離子源 (离子枪) 中国总代理.
 

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考夫曼離子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman 简介

1926 年在美国出生
1951 年加入美国 NASA 路易斯研究中心
1971 年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖
1978 年考夫曼博士成立了 Kaufman & Robinson,Inc 公司,开始研发生产适合工业使用的霍爾離子源和考夫曼離子源

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

霍爾離子源无栅极, 高浓度, 低能量宽束型離子源
发散光束 >45

KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列

離子源通过加热灯丝产生离子束,低浓度高能量宽束型離子源
利用栅极控制离子束的浓度和方向, 离子束可选集中,平行,散设

KRI 射频離子源 Gridded RFICP 系列

射频離子源, 提供高能量, 低浓度的离子束, 单次工艺时间更长

霍爾離子源 eH 400

霍爾離子源 eH 400
尺寸:直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压: 50-300eV
电流: 5a

霍爾離子源 eh400

KRI 考夫曼離子源 KDC 75

考夫曼離子源 KDC 75
尺寸: 直径= 5.5“ 高= 7.9”
放电电压: 100-1200 eV
电流: 250 mA

考夫曼離子源

KRI 考夫曼离子束中和器

一般使用宽束的工业用離子源,都会使用中和器来达到使用激发电子中和离子的目的。常用来做中和器的像是热灯丝,电浆桥,或是中空阴极。图1的架构可适用于有栅极及无栅极的離子源上。若是应用在无栅极的離子源上,中和器称为阴极中和器。标的物可以是溅镀的靶材或是要被蚀刻的基材。

KRI 考夫曼離子源 KDC 10

考夫曼型離子源 KDC 系列最小型号的離子源
尺寸:直径= 1.52“ 高= 4.5”
放电电压: 100-1200 ev
电流: 10 mA

考夫曼離子源  KDC 10

KRI 考夫曼離子源 KDC 40

考夫曼離子源 KDC 40
尺寸: 直径= 3.5“ 高= 6.75”
放电电压: 100-1200 eV
电流: 120 mA

考夫曼離子源 KDC40

霍爾離子源 eH 1000

霍爾離子源 eH 1000
尺寸:直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压: 50-300V
电流: 10A

霍爾離子源

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