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霍爾離子源 eH 400
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霍爾離子源 eH 400

KRI 霍爾離子源 eH 400
上海幸运飞艇网站代理美国原装进口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
高效的等離子轉換和穩定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技术参数:

型號

eH 400 / eH 400 LEHO

供電

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300 V VDC

 - 離子源直径

~ 4 cm

 - 阳极结构

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移動或快接法蘭

  - 高度

3.0'

  - 直径

3.7'

  - 加工材料

金屬
電介質
半導體

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

6-30”

  - 自动控制

控制4種氣體

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
离子辅助镀膜 IAD
预清洁 Load lock preclean
In-situ preclean
Low-energy etching
III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

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