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考夫曼離子源應用于離子束抛光工藝
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考夫曼離子源應用于離子束抛光工藝

上海幸运飞艇网站美国 KRI 考夫曼離子源成功应用于离子束抛光工艺 ( Ion Beam Figuring, IBF )
離子束抛光加工已逐漸成爲光學零件表面超精加工常用的最後一道工藝, 離子源是离子束抛光机的核心部件. 上海幸运飞艇网站美国 KRI 直流电源式考夫曼離子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机 ( IBF Optical coating ) 及晶体硅片离子束抛光机  ( IBF Clrystalline ) 工艺.
考夫曼離子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源于离子抛光机内部的移动运行. 上海幸运飞艇网站是美国 KRI 考夫曼離子源中國總代理.

KRI 離子源離子束抛光實際案例一:
1. 基材: 100 mm 光学镜片
2. 離子源条件: Vb: 800 V ( 离子束電壓 ), Ib: 84 mA ( 离子束电流 ) , Va: -160 V ( 离子束加速電壓 ), Ar gas ( 氩气 ).

離子束抛光前平坦度影像呈現圖
KRI 離子源应用

離子束抛光後平坦度影像呈現圖KRI 離子源应用


KRI 離子源離子束抛光實際案例:
1. 基材: 300 mm 晶体硅片
2. 離子源条件: Vb: 1000 V ( 离子束電壓 ), Ib: 69 mA ( 离子束电流 ), Va: -200 V ( 离子束加速電壓 ) Ar gas ( 氩气 )

離子束抛光前平坦度影像呈現圖
離子源离子抛光

離子束抛光後平坦度影像呈現圖離子源离子抛光

 
KRI 離子源實際安裝案例一:  KDC 10 使用于光学镀膜离子束抛光机
離子源 KDC 10
KRI 離子源實際安裝案例二: KDC 40 使用于晶体硅片离子束抛光机
離子源 KDC 40

上海幸运飞艇网站美国 KRI 考夫曼離子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型號:

型號

KDC 10

KDC 40

KDC 75

KDC 100

KDC 160

電壓

DC magnetic confinement

- 阴极灯丝

1

1

2

2

2

- 阳极電壓

0-100V DC

電子束

電子束

- 栅极

專用,自對准

- 栅极直径

1 cm

4 cm

7.5 cm

12 cm

16 cm


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼離子源 Gridded 和霍尔離子源 Gridless. 美国考夫曼離子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 離子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海幸运飞艇网站是美国考夫曼離子源 (离子枪) 中國總代理.

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