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射频離子源 RFICP 100
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射频離子源 RFICP 100

KRI 射频離子源 RFICP 100
上海幸运飞艇网站代理美国原装进口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 離子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 離子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.

KRI 射频離子源 RFICP 100 技术参数

型號

RFICP 100

供電

RF 射频感应耦合

 - 阴极灯丝

-

 - 射频功率

1 KW

電子束

OptiBeam™

 - 栅极

專用

 -柵極直徑

10 或 12 cm

中和器

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 阴极中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安装

移動或快速法蘭

 - 高度

9.25'

 - 直径

7.52'

 - 离子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自动控制

控制4種氣體

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 应用领域
預清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
美国 KRI 射频離子源 RFICP 100
美国 HVA 真空闸阀
德国 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
射频離子源

 

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