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KRI 考夫曼離子源 KDC 75
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KRI 考夫曼離子源 KDC 75

KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海幸运飞艇网站代理美国原装进口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:紧凑栅极離子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼離子源 KDC 75 包含2个阴极燈絲, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的電子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
 

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術參數

型號

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供電

DC magnetic confinement

 - 阴极燈絲

2

 - 阳极电压

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -柵極直徑

7.5 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移動或快速法蘭

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-24”

 - 自动控制

控制4種氣體

* 可选: 一个阴极燈絲; 可调角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應用領域
溅镀和蒸发镀膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE


客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼離子源 KDC 75
考夫曼離子源 KDC 75

 

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