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KRI 考夫曼離子源 KDC 40
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KRI 考夫曼離子源 KDC 40

KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海幸运飞艇网站代理美国原装进口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 離子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數

型號

KDC 40

供電

DC magnetic confinement

 - 阴极燈絲

1

 - 阳极电压

0-100V DC

電子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -柵極直徑

4 cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架构

移動或快速法蘭

 - 高度

6.75'

 - 直径

3.5'

 - 离子束

集中
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

6-18”

 - 自动控制

控制4種氣體

* 可选: 可调角度的支架


KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
溅镀和蒸发镀膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE

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