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KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
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KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

美国 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美国 KRI 霍爾離子源 eH 系列紧凑设计, 高電流低能量宽束型離子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型號满足科研及工业, 半导体应用. 霍爾離子源高電流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如鍍膜機, load lock, 溅射系统, 卷绕鍍膜機等.
霍爾離子源

美国 KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵極
高電流低能量
发散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器

美国 KRI 霍爾離子源 eH 主要应用
辅助镀膜 IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性、激活 SM
沉积 (DD)
离子蚀刻 LIBE
光學鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
7. 偏压离子束磁控溅射镀膜

美国 KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 系列在售型號:

型號

eH200(停産)

eH400
eH400LE

eH1000
eH1000LE
eH1000LO

eH1000xO2 

eH2000
eH2000LE
eH2000HO 

eH3000
eH3000LO
eH3000MO

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

Cathode/Neutralizer 

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC
HC
HC

HC

電壓

30-300V

50-300V
30-150V

50-300V
30-150V
50-300V

100-300V

50-300V
30-150V
50-250V

50-250V
50-300V
50-250V

電流

2A

5A
10A

10A
12A
5A

10A

10A
15A
15A

20A
10A
15A

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

1-15sccm

2-25sccm

2-50sccm

2-50sccm

2-75sccm

5-100sccm

高度

2.0“

3.0“

4.0“

4.0“

4.0“

6.0“

直徑

2.5“

3.7“

5.7“

5.7“

5.7“

9.7“

水冷

可選

可選

可選

可選

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

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